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SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3

SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

compliant

SIZ998DT-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.68530 -
6,000 $0.65104 -
15,000 $0.62656 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 20A (Tc), 60A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
전력 - 최대 20.2W, 32.9W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5)
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