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SIZF906BDT-T1-GE3

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Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

비준수

SIZF906BDT-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.73000 $1.73
500 $1.7127 $856.35
1000 $1.6954 $1695.4
1500 $1.6781 $2517.15
2000 $1.6608 $3321.6
2500 $1.6435 $4108.75
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 49nC @ 10V, 165nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
전력 - 최대 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5)
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