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SQD10N30-330H_4GE3

SQD10N30-330H_4GE3

SQD10N30-330H_4GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SQD10N30-330H_4GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.72000 $1.72
500 $1.7028 $851.4
1000 $1.6856 $1685.6
1500 $1.6684 $2502.6
2000 $1.6512 $3302.4
2500 $1.634 $4085
4678 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 300 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 330mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2190 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 107W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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