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SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA

SOT-23

비준수

SQD40081EL_GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,000 $0.58876 -
6,000 $0.56112 -
10,000 $0.54137 -
0 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 210 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 9950 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 71W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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