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SQJ443EP-T1_BE3

SQJ443EP-T1_BE3

SQJ443EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

비준수

SQJ443EP-T1_BE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.48000 $1.48
500 $1.4652 $732.6
1000 $1.4504 $1450.4
1500 $1.4356 $2153.4
2000 $1.4208 $2841.6
2500 $1.406 $3515
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 40A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 29mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2030 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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