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SQJ840EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

비준수

SQJ840EP-T1_GE3 가격 및 주문

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 9.3mOhm @ 10.3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1900 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 46W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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