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SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

SQJ868EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

compliant

SQJ868EP-T1_GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 58A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 7.35mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2450 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 48W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
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