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SQJ963EP-T1_GE3

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SQJ963EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

SOT-23

비준수

SQJ963EP-T1_GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.85590 -
6,000 $0.82620 -
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제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 60V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 40nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1140pF @ 30V
전력 - 최대 27W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual
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