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SQM40022E_GE3

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SQM40022E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 150A TO263

비준수

SQM40022E_GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
800 $1.03238 $825.904
1,600 $0.94743 -
2,400 $0.88209 -
5,600 $0.84942 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 150A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.63mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 9200 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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