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SQS850EN-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 12A PPAK1212-8

비준수

SQS850EN-T1_GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.41697 -
6,000 $0.38991 -
15,000 $0.37638 -
0 items
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 12A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 21.5mOhm @ 6.1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2021 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 33W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8
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