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VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

compliant

VQ1001P-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 4 N-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 830mA
rds on (max) @ id, vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 110pF @ 15V
전력 - 최대 2W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 -
공급업체 장치 패키지 14-DIP
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$0 $/조각

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