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VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

비준수

VQ1006P-E3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 4 N-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 90V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 400mA
rds on (max) @ id, vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 60pF @ 25V
전력 - 최대 2W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 -
공급업체 장치 패키지 14-DIP
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