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NXPSC126506Q

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

비준수

NXPSC126506Q 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $6.55000 $6.55
500 $6.4845 $3242.25
1000 $6.419 $6419
1500 $6.3535 $9530.25
2000 $6.288 $12576
2500 $6.2225 $15556.25
2984 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky
전압 - dc 역방향(vr)(최대) 650 V
현재 - 평균 정류(io) 12A
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1.7 V @ 12 A
속도 No Recovery Time > 500mA (Io)
역방향 회복 시간(trr) 0 ns
전류 - 역방향 누설 @ vr 80 µA @ 650 V
정전용량 @ vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
장착 유형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-220-2
공급업체 장치 패키지 TO-220AC
작동 온도 - 접합부 175°C (Max)
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