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WNSC08650T6J

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WeEn Semiconductors

SILICON CARBIDE POWER DIODE

비준수

WNSC08650T6J 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.24000 $3.24
500 $3.2076 $1603.8
1000 $3.1752 $3175.2
1500 $3.1428 $4714.2
2000 $3.1104 $6220.8
2500 $3.078 $7695
2876 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky
전압 - dc 역방향(vr)(최대) 650 V
현재 - 평균 정류(io) 8A
전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if 1.7 V @ 8 A
속도 No Recovery Time > 500mA (Io)
역방향 회복 시간(trr) 0 ns
전류 - 역방향 누설 @ vr 50 µA @ 650 V
정전용량 @ vr, f 267pF @ 1V, 1MHz
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 4-VSFN Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 5-DFN (8x8)
작동 온도 - 접합부 175°C (Max)
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