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W987D2HBJX6E TR

제조업체 부품 번호:W987D2HBJX6E TR

제조업체:Winbond Electronics

설명:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

케이스 패키지:SOT-23

데이터 시트:W987D2HBJX6E TR 데이터 시트

RoHs 상태:비준수

수량	단가	추가 가격
2,500	$2.18391	-

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Last Time Buy
메모리 유형	Volatile
메모리 형식	DRAM
기술	SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기	128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스	Parallel
클록 주파수	166 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지	15ns
접근 시간	5.4 ns
전압 - 공급	1.7V ~ 1.95V
작동 온도	-25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형	Surface Mount
패키지 / 케이스	90-TFBGA
공급업체 장치 패키지	90-VFBGA (8x13)

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