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W987D6HBGX6E TR

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W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA

W987D6HBGX6E TR 데이터 시트

비준수

W987D6HBGX6E TR 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Last Time Buy
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 DRAM
기술 SDRAM - Mobile LPSDR
메모리 크기 128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 166 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 15ns
접근 시간 5.4 ns
전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -25°C ~ 85°C (TC)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 54-TFBGA
공급업체 장치 패키지 54-VFBGA (8x9)
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