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C3M0015065D

C3M0015065D

C3M0015065D

Wolfspeed, Inc.

SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

compliant

C3M0015065D 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $45.82000 $45.82
500 $45.3618 $22680.9
1000 $44.9036 $44903.6
1500 $44.4454 $66668.1
2000 $43.9872 $87974.4
2500 $43.529 $108822.5
708 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 120A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 15V
rds on (max) @ id, vgs 21mOhm @ 55.8A, 15V
vgs(th) (최대) @ id 3.6V @ 15.5mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 188 nC @ 15 V
vgs(최대) +15V, -4V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 5011 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 416W (Tc)
작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247-3
패키지 / 케이스 TO-247-3
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