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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 200A (Tj) |
| rds on (max) @ id, vgs | 6.9mOhm @ 200A, 15V |
| vgs(th) (최대) @ id | 3.6V @ 69mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 708nC @ 15V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 20.4nF @ 800V |
| 전력 - 최대 | 10mW (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | Module |
| 공급업체 장치 패키지 | - |
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