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AOT412

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MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220

AOT412 데이터 시트

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제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8.2A (Ta), 60A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 7V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 15.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3.8V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs(최대) ±25V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 3220 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.6W (Ta), 150W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220
패키지 / 케이스 TO-220-3
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