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FDD6676

FDD6676

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6676 데이터 시트

비준수

FDD6676 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.77000 $0.77
500 $0.7623 $381.15
1000 $0.7546 $754.6
1500 $0.7469 $1120.35
2000 $0.7392 $1478.4
2500 $0.7315 $1828.75
8182 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 78A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 16.8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 63 nC @ 5 V
vgs(최대) ±16V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 5103 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.6W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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