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SI4455DY-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 2A 8SO

비준수

SI4455DY-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.77900 -
5,000 $0.74243 -
12,500 $0.71630 -
19193 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 150 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 295mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1190 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 5.9W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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