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FDR8702H

FDR8702H

FDR8702H

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

FDR8702H 데이터 시트

비준수

FDR8702H 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
254870 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.6A, 2.6A
rds on (max) @ id, vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 650pF @ 10V
전력 - 최대 800mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-8
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