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DMT12H065LFDF-13

DMT12H065LFDF-13

DMT12H065LFDF-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN

비준수

DMT12H065LFDF-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.37290 $0.3729
500 $0.369171 $184.5855
1000 $0.365442 $365.442
1500 $0.361713 $542.5695
2000 $0.357984 $715.968
2500 $0.354255 $885.6375
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 115 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 3V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 65mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 5.5 nC @ 10 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 252 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
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