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DMT6006LSS-13

DMT6006LSS-13

DMT6006LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2

compliant

DMT6006LSS-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.39763 $0.39763
500 $0.3936537 $196.82685
1000 $0.3896774 $389.6774
1500 $0.3857011 $578.55165
2000 $0.3817248 $763.4496
2500 $0.3777485 $944.37125
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 11.9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 34.9 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2162 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.38W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SO
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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