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DMT6012LFV-13

DMT6012LFV-13

DMT6012LFV-13

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333

비준수

DMT6012LFV-13 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.27259 $0.27259
500 $0.2698641 $134.93205
1000 $0.2671382 $267.1382
1500 $0.2644123 $396.61845
2000 $0.2616864 $523.3728
2500 $0.2589605 $647.40125
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 43.3A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 22.2 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1522 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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