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G16P03S

G16P03S

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P30V,RD(MAX)<12M@-10V,RD(MAX)<18

G16P03S 데이터 시트

compliant

G16P03S 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 16A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2800 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOP
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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