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G86N06K

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N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,

G86N06K 데이터 시트

비준수

G86N06K 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.16000 $1.16
500 $1.1484 $574.2
1000 $1.1368 $1136.8
1500 $1.1252 $1687.8
2000 $1.1136 $2227.2
2500 $1.102 $2755
2454 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 68A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 8.4mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2860 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 88W
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252 (DPAK)
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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