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IPDQ60R010S7XTMA1

IPDQ60R010S7XTMA1

IPDQ60R010S7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

compliant

IPDQ60R010S7XTMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $36.44000 $36.44
500 $36.0756 $18037.8
1000 $35.7112 $35711.2
1500 $35.3468 $53020.2
2000 $34.9824 $69964.8
2500 $34.618 $86545
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 600 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 50A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 12V
rds on (max) @ id, vgs 10mOhm @ 50A, 12V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 3.08mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 318 nC @ 12 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 11987 pF @ 300 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 694W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-HDSOP-22-1
패키지 / 케이스 22-PowerBSOP Module
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