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IPI200N25N3GAKSA1

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MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

compliant

IPI200N25N3GAKSA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
500 $4.62992 $2314.96
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 250 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 64A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 20mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 270µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 7100 pF @ 100 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 300W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 PG-TO262-3
패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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