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IRF3711S

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MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

IRF3711S 데이터 시트

비준수

IRF3711S 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
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1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 110A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 44 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2980 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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