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ISC0803NLSATMA1

ISC0803NLSATMA1

ISC0803NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON

compliant

ISC0803NLSATMA1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.47000 $1.47
500 $1.4553 $727.65
1000 $1.4406 $1440.6
1500 $1.4259 $2138.85
2000 $1.4112 $2822.4
2500 $1.3965 $3491.25
2170 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 8.8A (Ta), 37A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 16.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.3V @ 18µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1000 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 43W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 PG-TDSON-8
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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