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IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

IXTA08N50D2

IXYS

MOSFET N-CH 500V 800MA TO263

compliant

IXTA08N50D2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.86000 $1.86
50 $1.50000 $75
100 $1.35000 $135
500 $1.05000 $525
1,000 $0.87000 -
2,500 $0.84000 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 800mA (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 12.7 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 312 pF @ 25 V
FET 기능 Depletion Mode
전력 소모(최대) 60W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263AA
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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