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IXTA2N100P-TRL

IXTA2N100P-TRL

IXTA2N100P-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

compliant

IXTA2N100P-TRL 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $2.28689 $2.28689
500 $2.2640211 $1132.01055
1000 $2.2411522 $2241.1522
1500 $2.2182833 $3327.42495
2000 $2.1954144 $4390.8288
2500 $2.1725455 $5431.36375
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 1000 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 2A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 7.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4.5V @ 100µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 24.3 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 655 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 86W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-263 (D2Pak)
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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