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APTMC120TAM12CTPAG

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MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

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제품 상태 Active
FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능 Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압(vdss) 1200V (1.2kV)
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 220A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 12mOhm @ 150A, 20V
vgs(th) (최대) @ id 2.4V @ 30mA (Typ)
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 483nC @ 20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 8400pF @ 1000V
전력 - 최대 925W
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 SP6
공급업체 장치 패키지 SP6-P
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