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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
FET 유형 | 2 N Channel (Phase Leg) |
FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
드레인-소스 전압(vdss) | 1200V (1.2kV) |
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 805A (Tc) |
rds on (max) @ id, vgs | 3.1mOhm @ 400A, 20V |
vgs(th) (최대) @ id | 2.8V @ 10mA |
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 2320nC @ 20V |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 30200pF @ 1kV |
전력 - 최대 | 3.215kW (Tc) |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Chassis Mount |
패키지 / 케이스 | Module |
공급업체 장치 패키지 | SP6C LI |
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