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BUK7Y08-40B/C,115

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BUK7Y08-40B/C,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56

비준수

BUK7Y08-40B/C,115 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
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1000 $0 $0
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2500 $0 $0
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 75A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 36.3 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2040 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 105W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669
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