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PMZB290UNE,315

PMZB290UNE,315

PMZB290UNE,315

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3

SOT-23

비준수

PMZB290UNE,315 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
10,000 $0.07035 -
30,000 $0.06650 -
50,000 $0.05996 -
100,000 $0.05880 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 950mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.68 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 83 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DFN1006B-3
패키지 / 케이스 SC-101, SOT-883
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