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FDC6301N

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onsemi

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

FDC6301N 데이터 시트

비준수

FDC6301N 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.12524 -
6,000 $0.11765 -
15,000 $0.11006 -
30,000 $0.10095 -
75,000 $0.09715 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 25V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 220mA
rds on (max) @ id, vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 9.5pF @ 10V
전력 - 최대 700mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지 SuperSOT™-6
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