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SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

compliant

SI5908DC-T1-GE3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.65600 -
6,000 $0.62520 -
15,000 $0.60320 -
6000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.4A
rds on (max) @ id, vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 1.1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지 1206-8 ChipFET™
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