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FDY302NZ

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 600MA SC89-3

FDY302NZ 데이터 시트

비준수

FDY302NZ 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.07590 -
6,000 $0.06831 -
15,000 $0.06072 -
30,000 $0.05693 -
75,000 $0.05047 -
150,000 $0.04858 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 600mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 300mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 1.1 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 60 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 625mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SC-89-3
패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490
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