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NTJD5121NT2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363

비준수

NTJD5121NT2G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.09315 -
6,000 $0.08820 -
15,000 $0.08078 -
30,000 $0.07583 -
75,000 $0.06840 -
150,000 $0.06705 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 60V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 295mA
rds on (max) @ id, vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 26pF @ 20V
전력 - 최대 250mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363
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