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NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

onsemi

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

compliant

NTMD6P02R2G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.38608 -
5,000 $0.36677 -
12,500 $0.35299 -
25,000 $0.35098 -
2498 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4.8A
rds on (max) @ id, vgs 33mOhm @ 6.2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 35nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1700pF @ 16V
전력 - 최대 750mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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