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NTZS3151PT1H

NTZS3151PT1H

NTZS3151PT1H

onsemi

MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6

compliant

NTZS3151PT1H 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.08000 $0.08
500 $0.0792 $39.6
1000 $0.0784 $78.4
1500 $0.0776 $116.4
2000 $0.0768 $153.6
2500 $0.076 $190
160000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 860mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 5.6 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 458 pF @ 16 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 170mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-563
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
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