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NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1

NVH4L080N120SC1

onsemi

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

compliant

NVH4L080N120SC1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $12.30000 $12.3
500 $12.177 $6088.5
1000 $12.054 $12054
1500 $11.931 $17896.5
2000 $11.808 $23616
2500 $11.685 $29212.5
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(vdss) 1200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 29A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 20V
rds on (max) @ id, vgs 110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (최대) @ id 4.3V @ 5mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 56 nC @ 20 V
vgs(최대) +25V, -15V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1670 pF @ 800 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 170mW (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247-4L
패키지 / 케이스 TO-247-4
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