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PJQ4448P_R2_00001

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PJQ4448P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

비준수

PJQ4448P_R2_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 40 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 10A (Ta), 42A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1040 pF @ 20 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta), 35W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DFN3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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