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PJQ4476AP_R2_00001

PJQ4476AP_R2_00001

PJQ4476AP_R2_00001

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

SOT-23

비준수

PJQ4476AP_R2_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 6.3A (Ta), 35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 25mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1519 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta), 62W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DFN3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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