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이름 | 값 |
---|---|
제품 상태 | Active |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압(vdss) | 20V |
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 200mA |
rds on (max) @ id, vgs | 1Ohm @ 200mA, 4V |
vgs(th) (최대) @ id | 1V @ 1mA |
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | - |
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 25pF @ 10V |
전력 - 최대 | 150mW |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
공급업체 장치 패키지 | EMT6 |
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