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RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT

SOT-23

비준수

RQ3E180AJTB 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.40530 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18A (Ta), 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 11mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4290 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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