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RQ3E180AJTB1

RQ3E180AJTB1

RQ3E180AJTB1

Rohm Semiconductor

NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

compliant

RQ3E180AJTB1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.60550 $0.6055
500 $0.599445 $299.7225
1000 $0.59339 $593.39
1500 $0.587335 $881.0025
2000 $0.58128 $1162.56
2500 $0.575225 $1438.0625
3000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18A (Ta), 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 11mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 4290 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-HSMT (3.2x3)
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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