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RXH090N03TB1

RXH090N03TB1

RXH090N03TB1

Rohm Semiconductor

4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE

compliant

RXH090N03TB1 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.62832 $0.62832
500 $0.6220368 $311.0184
1000 $0.6157536 $615.7536
1500 $0.6094704 $914.2056
2000 $0.6031872 $1206.3744
2500 $0.596904 $1492.26
2500 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 6.8 nC @ 5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 440 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta)
작동 온도 150°C
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOP
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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